特許
J-GLOBAL ID：200903040322890920

平面研削方法

発明者：
矢嶋 興一

矢嶋 興一 について

, 
立岩 聡

立岩 聡 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-382209
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150200
出願日： 2003年11月12日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 半導体ウェハの周縁部を周方向に沿って好適に切断することの可能な平面研削方法を提供することにある。を提供すること。【解決手段】 周縁部切断工程と,裏面研削工程とを含む平面研削方法が提供される。まず,周縁部切断工程では,高圧液を噴射することによって半導体ウェハ20の周縁部を周方向に沿って切断して,裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面50を形成する。次いで,裏面研削工程では,周縁部が切断された半導体ウェハ20の裏面を,傾斜切断面50を残存させながら平面研削する。かかる構成により,高圧液の噴射による切断加工は曲線的な切断加工に適しているので,半導体ウェハ20の周縁部を周方向に沿って好適に切断することができる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの裏面を平面研削する平面研削方法であって: 前記半導体ウェハの周縁部を周方向に沿って切断して,前記裏面に対して略垂直な垂直切断面,または前記裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する周縁部切断工程と; 前記周縁部が切断された前記半導体ウェハの裏面を,前記垂直切断面または前記傾斜切断面を残存させながら平面研削する裏面研削工程と; を含み, 前記周縁部切断工程では,高圧液を噴射することによって前記半導体ウェハの周縁部を切断することを特徴とする,平面研削方法。
IPC (4件)：
H01L21/304 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24C1/00
FI (5件)：
H01L21/304 601S ,  H01L21/304 631 ,  B24B1/00 A ,  B24B7/22 Z ,  B24C1/00 Z
Fターム (5件)：
3C043BB00 ,  3C043CC04 ,  3C049AA04 ,  3C049CA01 ,  3C049CB03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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