特許
J-GLOBAL ID：200903040334713030

光透過ナノスタンプ方法

発明者：
桑原 孝介

桑原 孝介 について

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宮内 昭浩

宮内 昭浩 について

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荻野 雅彦

荻野 雅彦 について

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元脇 成久

元脇 成久 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077832
公開番号（公開出願番号）：特開2004-288802
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】新規な光透過ナノプリント法を提供する。【解決手段】基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像し、部分的に可溶化する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に微細構造を形成するために、基板と、表面に微細な凹凸が形成されたスタンパを加圧し、スタンパ裏面より光照射する光透過ナノスタンプ方法において、 前記基板にポジ型レジスト層を形成する工程、光透過性スタンパを基板上のポジ型レジスト層に加圧し、レジスト層を変形させる工程、光透過性スタンパ裏面より光を照射する工程、レジストを現像する工程、を含むことを特徴とする光透過ナノスタンプ方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F7/38
FI (2件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/38 501
Fターム (9件)：
2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096DA10 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA16 ,  2H096GA08 ,  2H096HA11 ,  5F046AA28
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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