特許
J-GLOBAL ID:200903064149537264
サブ波長構造体の製造
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
坂口 博
, 市位 嘉宏
, 上野 剛史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-393046
公開番号(公開出願番号):特開2004-200664
出願日: 2003年11月21日
公開日(公表日): 2004年07月15日
要約:
【課題】基板上にサブ波長寸法の構造体を製造する方法を提供すること。【解決手段】導波路構造体16を持ちフォトレジスト12より屈折率が大きい親水性材料のスタンプを作製し、基板14上に形成した変形しうるフォトレジスト12に押印する。その導波路構造体16に光を受容させることにより、エバネッセント光を生成させ、導波路構造体16に隣接する微少なフォトレジスト12を露光する。露光後、現像処理をしてサブ波長構造体を形成する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
変形しうるフォトレジスト(12、24)が基板(14)の上部に配置されており、
a)導波路構造体(16)をもち、用いられるフォトレジスト(12、24)より屈折率が大きい材料からなる親水性スタンプ(10)を形作るステップ;
b)前記スタンプ(10)と前記基板(14)を接触させることにより、前記の変形しうるフォトレジスト(12、24)に前記導波路構造体(16)を押印するステップ;
c)導波路構造体(16)に光を受容することにより、エバネッセント波を生成させて前記フォトレジスト(12、24)を露光させるステップ;および
d)前記フォトレジスト(12、24)を現像するステップ;
により特徴づけられる、前記基板(14)上にサブ波長構造体(22、26)を製造する方法。
IPC (4件):
H01L21/027
, G03F7/004
, G03F7/20
, G11B5/84
FI (4件):
H01L21/30 502D
, G03F7/004 511
, G03F7/20 521
, G11B5/84 Z
Fターム (13件):
2H025AA02
, 2H025AB14
, 2H025AB20
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025AD05
, 2H025BC13
, 2H025BE01
, 2H025EA03
, 5D112AA02
, 5D112AA24
, 5D112BA10
, 5F046AA28
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)
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