特許

J-GLOBAL ID：200903040395795780

複数のメモリブロックを備える不揮発性記憶装置

発明者： 古山 孝昭 ,  新実 正博 ,  新美 真
出願人/特許権者： スパンション エルエルシー
代理人 (2件)： 田中 裕人 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-194277
公開番号（公開出願番号）：特開2009-032324
出願日： 2007年07月26日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】 読出し動作と書換え動作との間での干渉を防止することができ、メモリブロック間で読出し動作と書換え動作とを同時に行う場合に、誤動作を防止することが可能な不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】 不揮発性記憶装置1は複数のバンクを備え、第1電源線VCC1及び第1接地線VSS1が接続され、バンクiに対する書換え動作を制御する書換え制御部2と、第2電源線VCC2及び第2接地線VSS2が接続され、バンクjに対する読出し動作を制御する読出し制御部5とを備え、書換え制御部2と読出し制御部5とは、互いに離間して配置される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のメモリブロックを備える不揮発性記憶装置であって、 第1電源線又は/及び第1接地線が接続され、前記メモリブロックに対する書換え動作を制御する書換え制御部と、 第2電源線又は/及び第2接地線が接続され、前記メモリブロックに対する読出し動作を制御する読出し制御部とを備え、 前記書換え制御部と前記読出し制御部とは、互いに離間して配置されることを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C17/00 601Q ,  G11C17/00 632Z ,  G11C17/00 633B ,  G11C17/00 633D

Fターム (7件)：

5B125BA01 ,  5B125CA15 ,  5B125DE02 ,  5B125DE06 ,  5B125DE20 ,  5B125EG00 ,  5B125FA07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167649   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-044373   出願人：株式会社東芝
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245239   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-056365   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167649   出願人：三菱電機株式会社