特許
J-GLOBAL ID：200903062569172684

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
二ッ谷 知士

二ッ谷 知士 について

, 
宮脇 好和

宮脇 好和 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167649
公開番号（公開出願番号）：特開2001-344986
出願日： 2000年06月05日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 チップ占有面積の低減されたバックグラウンド・オペレーション機能付き不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 複数のメモリバンク(B♯1-B♯4)に対しデータを外部へ読出すための外部読出用センスアンプ(15)と内部動作用のデータ読出のための内部ベリファイセンスアンプ(25)とを別々に設ける。好ましくはこの内部ベリファイセンスアンプは、メモリブロックの所定数ごとに設けられる。
請求項（抜粋）：
各々が複数の不揮発性メモリセルを有する複数のメモリバンク、前記複数のメモリバンクの所定数のメモリバンクに対応して設けられ、対応のメモリバンクから読出されたデータをバッファ回路を介して外部へ出力するための少なくとも1つの外部センス読出回路、および前記複数のメモリバンクに対応してかつ前記外部センス読出回路と別に設けられ、各々が対応のメモリバンクからのメモリセルデータを所定の内部動作のために読出すための内部動作用センス読出回路とを備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06 ,  G11C 16/02
FI (2件)：
G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 613
Fターム (5件)：
5B025AD01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AE00
引用特許：
審査官引用 (4件)
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