特許
J-GLOBAL ID:200903040445359332
薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
朝日奈 宗太
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-034064
公開番号(公開出願番号):特開2007-140556
出願日: 2007年02月14日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールを介した画素電極とドレイン電極とのコンタクト抵抗値が、安定的に10E4Ω以下にすることができるTFTアレイの製造方法および液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置用TFTの製造方法は、TFTを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該TFT領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜のドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に画素電極を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含んでなるものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明絶縁性基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を順次設けて薄膜トランジスタを形成する工程と、前記透明絶縁性基板上に該薄膜トランジスタ領域に起因する段差部をなくすように表面が平坦化された透明性樹脂からなる層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部にコンタクトホールを設け、該コンタクトホールを介して下部のドレイン電極と電気的に接続されるように該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極とを形成する工程からなる液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、前記層間絶縁膜にコンタクトホール部を形成したのち、該コンタクトホール部に露出した前記下部のドレイン電極の表面を含む基板表面を、コンタクト部表面を清浄化するために表面処理する工程を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記ドレイン電極の膜厚のうち、前記透明性樹脂からなる層間絶縁膜のコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される部分の膜厚が、その他の部分の膜厚よりも薄くされ、
前記層間絶縁膜を形成する前に、前記薄膜トランジスタのチャネル部を保護する窒化シリコン膜を形成する工程をさらに有し、
前記層間絶縁膜の前記ドレイン電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程の後に、前記窒化シリコン膜の前記ドレイン電極の上部に前記コンタクトホールを設ける工程を有することを特徴とする液晶表示装置用薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/134
, H01L 21/768
, H01L 29/786
, G02F 1/136
FI (4件):
G02F1/1343
, H01L21/90 A
, H01L29/78 612A
, G02F1/1368
Fターム (75件):
2H092GA12
, 2H092GA17
, 2H092GA28
, 2H092GA29
, 2H092JA24
, 2H092JA41
, 2H092JA45
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB05
, 2H092JB56
, 2H092JB57
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092MA17
, 2H092MA22
, 2H092NA15
, 2H092NA28
, 5F033HH17
, 5F033HH38
, 5F033JJ38
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK17
, 5F033KK20
, 5F033KK21
, 5F033MM20
, 5F033NN13
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ12
, 5F033QQ13
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033QQ41
, 5F033QQ92
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR27
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT04
, 5F033VV15
, 5F033XX09
, 5F033XX21
, 5F110AA03
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF28
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK33
, 5F110HL07
, 5F110HL26
, 5F110NN02
, 5F110NN03
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN35
, 5F110NN72
, 5F110QQ19
引用特許:
出願人引用 (14件)
-
特許第2521752号公報
-
特許第2598420号公報
-
特開平4-163528号公報
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審査官引用 (8件)
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