特許
J-GLOBAL ID：200903040456679835

半導体装置

発明者：
田中 昭生

田中 昭生 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153864
公開番号（公開出願番号）：特開平11-004023
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】 熱を利用した半導体装置、特に熱型マイクロセンサのS/N、および歩留まりを改善する。【解決手段】 半導体基板上に熱分離した構造体と、その構造体上に物理量を電機信号に変換する変換素子を持ち、その変換素子と、基板を結ぶ配線にチタンシリサイドを用い、この変換素子としてMを任意の元素とするMxTiyOzまたはCuxOy、CuxTiyOzを用いる。チタンシリサイドを用いることで、従来のチタンを用いた場合に対して、同じ熱コンダクタンスで、足部抵抗を下げることができる。これによって足部での電圧降下を抑えられ、信号を増大させることができ、1/fノイズを低下できる。これらの材料はシリコンラインで製造可能であり、安価で高性能な半導体装置が実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に熱分離した構造体を持ち、その構造体と半導体基板を結ぶ配線材料としてチタンシリサイドを用いることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 37/00 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 37/00 ,  H01L 21/88 Q
引用特許：
審査官引用 (9件)
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