特許
J-GLOBAL ID:200903040470323750

透明導電膜、及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-237715
公開番号(公開出願番号):特開2004-076094
出願日: 2002年08月19日
公開日(公表日): 2004年03月11日
要約:
【課題】表面平滑性と低抵抗性に優れたZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛-酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる薄膜を不活性ガス雰囲気下又は還元雰囲気下、250〜500°Cの温度で加熱処理することにより表面の凹凸が10nm以下であるZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなる透明導電膜が製造できる。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
ZnkIn2Ok+3(kは1〜4の整数。)で表される非晶質ホモロガス化合物からなり、表面の凹凸が10nm以下であることを特徴とする透明導電膜。
IPC (1件):
C23C14/08
FI (1件):
C23C14/08 K
Fターム (8件):
4K029BA50 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC16 ,  4K029GA01
引用特許:
審査官引用 (5件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • ZnO-In2O3系透明導電性酸化物

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