特許

J-GLOBAL ID：200903040487258609

半導体装置及びその作製方法、並びに電子機器

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-275070
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121060
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】複数の機能を有する半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、薄膜集積回路と、センサ又はアンテナを有する第1の基板と、アンテナを有する第2の基板を有し、センサ又はアンテナを有する第1の基板とアンテナを有する第2の基板とは、薄膜集積回路を挟持している半導体装置である。複数のアンテナを有し、且つ通信する周波数帯が異なる場合、複数の周波数帯を受信することが可能であるため、リーダライタの選択幅が広がる。また、センサとアンテナを有する場合、センサで検知した情報を信号化し、アンテナを介して該信号をリーダライタに出力することが可能である。このため、従来の無線チップ等の半導体装置より、高付加価値を有する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1の基板上に剥離層を選択的に形成し、 前記第1の基板及び前記剥離層に接するように第1の絶縁層を形成し、 前記第1の絶縁層上に複数の薄膜トランジスタを形成し、 前記第1の絶縁層上に第2の絶縁層を形成し、 前記第1の基板の一部が露出するように、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層に第1の開口部を形成し、 前記複数の薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域が露出するように、前記第2の絶縁層に第2の開口部を形成し、 前記第1の開口部を充填する第1の導電層及び前記第2の開口部を充填する第2の導電層を形成し、 前記剥離層の一部が露出するように前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層に第3の開口部を形成し、 前記第3の開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を除去し、前記第2の導電層と、第2の基板上に設けられた第3の導電層とが接続するように、前記複数の薄膜トランジスタと前記第2の基板を貼り合わせた後、前記第1の基板から前記複数の薄膜トランジスタを剥離し、 前記第1の導電層と、第3の基板上に設けられた第4の導電層とが接続するように、前記複数の薄膜トランジスタと前記第3の基板を貼り合わせることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  G06K 19/07 ,  G06K 19/077

FI (5件)：

H01L27/12 B ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/14 C ,  G06K19/00 H ,  G06K19/00 K

Fターム (79件)：

4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA11 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118HA33 ,  5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA23 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ22 ,  5F110QQ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-086457   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリクス型表示装置および薄膜トランジスタ型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-019128   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 発光装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-176571   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-154590   出願人：松下電器産業株式会社
• 表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005860   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所