半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116637
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017038
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】製造工程を増加させることなく、信頼性の高い極薄のゲート絶縁膜、例えばトンネル酸化膜等を有する半導体装置を実現する。【解決手段】 FLOTOX型のEEPROMを製造するに際して、トンネル酸化膜5を形成した後に、ソース6及びドレイン7を形成する。即ち、浮遊ゲート9となる多結晶シリコン膜31をハーフエッチングして、多結晶シリコン膜31の上面に凸部11を形成する。そして、凸部11をマスクとして多結晶シリコン膜31の薄い部分及びその下層のゲート酸化膜4、トンネル酸化膜5を通してイオン注入し、凸部11の両側のシリコン基板1の表面領域にソース6及びドレイン7を形成する。ここで、トンネル酸化膜5の下にドレイン7が存する。

請求項（抜粋）：

ソース及びドレインと、前記ソースと前記ドレインとの間に形成された半導体基板のチャネル領域上に絶縁膜を介してパターン形成されたゲート配線とを備えた半導体装置において、前記ゲート配線は、第1及び第2の配線パターンを備え、前記第1の配線パターンは、上面に前記第2の配線パターンからなる凸部を有しており、前記第2の配線パターンは、前記第1の配線パターン幅より小さいパターン幅で形成されており、前記凸部の両側に位置する前記半導体基板の表面領域に前記ソース及び前記ドレインが形成されており、前記絶縁膜の前記ドレインの上部に位置する一部が除去されて露出した前記半導体基板の表面に、前記絶縁膜の膜厚に比して薄い絶縁膜が形成されており、前記ゲート配線は、前記薄い絶縁膜の上部に位置する部位に前記凸部を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭63-244686
特開昭63-288069
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-074921 出願人：富士通株式会社

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