特許
J-GLOBAL ID：200903040590880342

窒化物半導体の製造方法および窒化物半導体素子の製造方法

発明者：
松本 治

松本 治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-165956
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014796
出願日： 2002年06月06日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：
【課題】生産性および歩留まりを向上させることができる窒化物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】フォトリソグラフィ工程に先立って、被覆成長層14の上に、SiO2膜からなるマスク16を形成する。機械研磨(ラッピング)によって、突起部15の高さが例えば1μm以下となるように、マスク16の表面を研磨する。フッ化水素水溶液を用いて、マスク16を除去する。被覆成長層14の表面に生じた突起15が除去されて、被覆成長層14の表面が平坦となる。後のフォトリソグラフィ工程において、接触型の露光装置を用いてフォトマスクと窒化物半導体層が形成された基板とを接触させたときに、基板11の表面全体に均等に圧力が加えられるので、基板割れが防止される。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなる基板に異なった処理を行う複数の工程を含む窒化物半導体の製造方法であって、 前記複数の工程のうちの所定の工程に先立って、前記基板の表面に生じた突起を除去する工程を含む ことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01S5/323 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 ,  H01L33/00
FI (4件)：
H01S5/323 610 ,  H01L21/205 ,  H01L21/304 621B ,  H01L33/00 C
Fターム (28件)：
5F041AA31 ,  5F041AA41 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB08 ,  5F045DB01 ,  5F045HA11 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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