特許
J-GLOBAL ID:200903040636187744

高周波プラズマ生成用平衡不平衡変換装置と、該平衡不平衡変換装置により構成されたプラズマ表面処理装置およびプラズマ表面処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-117451
公開番号(公開出願番号):特開2004-207256
出願日: 2004年04月13日
公開日(公表日): 2004年07月22日
要約:
【課題】大面積電極への超高周波電力供給における同軸ケーブル端部での漏洩電流を抑制することにより、真空容器内の一対の電極間にVHF帯(30MHz〜300MHz)のプラズマが再現性良く、均一に生成され、1mx1m級の大面積基板に対する均一なプラズマ表面処理が可能となる表面処理装置および表面処理方法を提供すること。【解決手段】プラズマを利用して真空容器1内の一対の電極2,4の一方に配置される基板12の表面を処理するプラズマ表面処理装置及び方法に用いられる高周波プラズマ生成用平衡不平衡変換装置であって、前記電極への電力供給箇所17a、17bと第2の同軸ケーブル109bの間に平衡不平衡変換装置100の一部分が挿入され、かつ、該平衡不平衡変換装置100の本体部分は大気側に設置されるという構成であることを特徴とする。該平衡不平衡変換装置により構成されることを特徴とするプラズマ表面処理装置及び方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
排気系を備えた真空容器と、この真空容器内に放電用ガスを供給する放電用ガス供給系と、基板がセットされる第1の電極と前記第1の電極に対向設置される第2の電極からなる一対の電極と、前記一対の電極に高周波電力を供給する電力供給系と、前記電力供給系と組み合わせて用いられる平衡不平衡変換装置を具備し、生成したプラズマを利用して基板の表面を処理するプラズマ表面処理装置に用いられるプラズマ生成用平衡不平衡変換装置であって、同軸ケーブルの給電端側に長さが前記高周波電力の波長の四分の一の円筒型導電体を被せ、該円筒型導電体の底面中央を該同軸ケーブルの外部導体に密着させるという構造のシュペルトップ型平衡不平衡変換装置を分断し、該分断されたシュペルトップ型平衡不平衡変換装置の一方を前記真空容器内部に配置し、他方を大気側に配置するとともに、両者を該真空容器の壁に取り付けられている同軸ケーブル接続端子を介して元の状態に戻す形で接続し、かつ、大気側に配置の該分断されたシュペルトップ型平衡不平衡変換装置に長さの調整手段を設けるという構成を有することを特徴とする高周波プラズマ生成用平衡不平衡変換装置。
IPC (4件):
H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01P5/10
FI (5件):
H05H1/46 M ,  H05H1/46 R ,  C23C16/505 ,  H01L21/205 ,  H01P5/10 B
Fターム (18件):
4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  4K030LA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045BB02 ,  5F045BB08 ,  5F045CA13 ,  5F045CA15 ,  5F045DP03 ,  5F045EH13 ,  5F045EH19
引用特許:
出願人引用 (12件)
全件表示

前のページに戻る