半導体記憶装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-327254
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162191
出願日： 1997年11月28日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】配線本数、ヒューズ本数およびトランジスタ数を低減することができる救済回路を有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 256MビットのDRAMであって、複数のメモリセルからなるメモリアレイと、ロウ/カラムアドレスを指定するアドレスバッファ、ロウ系/カラム系のラッチ回路、救済回路およびデコーダと、読み出し/書き込みのためのセンスアンプ、メインアンプ、入力バッファおよび出力バッファなどから構成され、ロウ系の救済回路にはCMOS型アドレス比較回路とダイナミック型OR論理回路が用いられ、カラム系の救済回路6にはエンコーダ21を含むロウプリデコーダ部22、CMOS型のマット選択アドレス比較回路23および救済アドレスプログラム回路24を含むヒューズデコーダ部25、ラッチ型デコーダ26を含むアドレス比較部28が用いられている。

請求項（抜粋）：

不良メモリセルを冗長メモリセルに置き換えて救済するロウ系救済回路およびカラム系救済回路を有する半導体記憶装置であって、前記ロウ系救済回路のアドレス比較回路は、救済アドレスがプログラムされたヒューズに接続され、入力される単相のアドレス信号によりゲート制御されるNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとからなるCMOS型回路を有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 603 , G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 29/00 603 K , G11C 11/34 371 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-275544 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-268914 出願人：日本電気株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-166619 出願人：三菱電機株式会社

全件表示

前のページに戻る