特許

J-GLOBAL ID：200903040673126321

半導体装置

発明者： 島名 智子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-258890
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073725
出願日： 2005年09月07日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】 半導体集積回路の不良解析に際し、不良箇所を迅速に発見し、不良解析を効率的に行う。【解決手段】 下層の機能ブロックと上層の平坦化用ダミーパターン101を備えている。ここで、平坦化用ダミーパターンは、機能ブロックの種類に応じた形状または間隔で配置されている。このような構成により、上層からみるだけで機能ブロックの位置および種類、あるいはメモリセルのレイアウト形状およびピッチを迅速に、かつ容易に判断でき、不良解析を効率的に行うことができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下層のメモリセルアレイと上層の平坦化用ダミーパターンとを備え、 前記平坦化用ダミーパターンは、前記メモリセルアレイの配置ピッチに応じた形状または間隔で配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (2件)：

H01L27/10 381 ,  H01L21/88 S

Fターム (14件)：

5F033MM21 ,  5F033UU04 ,  5F033VV01 ,  5F033VV02 ,  5F033VV12 ,  5F033VV16 ,  5F033XX37 ,  5F083BS00 ,  5F083GA30 ,  5F083LA02 ,  5F083LA11 ,  5F083LA21 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA28

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-118882   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160404   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体素子及びその半導体素子上の所定位置を探す方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-207746   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363682   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-160404   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体素子及びその半導体素子上の所定位置を探す方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-207746   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-363682   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-118882   出願人：富士通株式会社