特許
J-GLOBAL ID：200903044673754506

半導体素子及びその半導体素子上の所定位置を探す方法

発明者：
鄭 鎭國

鄭 鎭國 について

, 
金 學茂

金 學茂 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-207746
公開番号（公開出願番号）：特開2005-051230
出願日： 2004年07月14日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 半導体素子及びその半導体素子上の所定位置を探す方法を提供する。【解決手段】 本発明の目的は、所望の位置を容易に探せる半導体素子とその半導体素子上の所定位置を探す方法とを提供するものであって、これを達成するために半導体素子に表示線または表示用パターンをダミーパターンまたはレファレンスプレーンと共に構成する。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に反復的に配列された化学的機械的研磨用の最上位ダミーパターンと、 一定数の前記ダミーパターン間ごとに配置されて提供された表示用パターンと、 を含む半導体素子。
IPC (4件)：
H01L21/66 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04
FI (3件)：
H01L21/66 Y ,  H01L21/88 S ,  H01L27/04 T
Fターム (15件)：
4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA07 ,  4M106AB15 ,  4M106AB17 ,  4M106BA10 ,  4M106CA50 ,  5F033QQ48 ,  5F033VV01 ,  5F033VV12 ,  5F033XX37 ,  5F038CA18 ,  5F038DT19 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-009340   出願人：三菱電機株式会社
審査官引用 (5件)
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