特許
J-GLOBAL ID：200903040880405257

半導体装置

発明者：
岡 大祐

岡 大祐 について


出願人/特許権者：
住友ベークライト株式会社

住友ベークライト株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310807
公開番号（公開出願番号）：特開2006-124418
出願日： 2004年10月26日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 耐半田リフロー性、難燃性、高温での信頼性の全てに優れた半導体装置を提供すること。【解決手段】 (A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)一般式(3)で示される化合物及び/又は一般式(4)で示される化合物、(E)(D)成分を除く無機充填材、並びに(F)酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも0.01重量%未満であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂を含むフェノール樹脂、(C)硬化促進剤、(D)一般式(3)で示される化合物及び/又は一般式(4)で示される化合物、(E)(D)成分を除く無機充填材、並びに(F)酸化防止剤を必須成分として含有し、かつ全樹脂組成物中に含有される臭素原子、アンチモン原子、ビスマス原子がいずれも0.01重量%未満であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (6件)：
C08G 59/20 ,  C08G 59/62 ,  C08K 3/26 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (5件)：
C08G59/20 ,  C08G59/62 ,  C08K3/26 ,  C08L63/00 C ,  H01L23/30 R
Fターム (37件)：
4J002CD071 ,  4J002DE076 ,  4J002DE146 ,  4J002DE147 ,  4J002DE286 ,  4J002DJ017 ,  4J002DJ047 ,  4J002EJ038 ,  4J002EJ048 ,  4J002EN108 ,  4J002FD078 ,  4J002FD136 ,  4J002FD137 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J002GQ05 ,  4J036AE07 ,  4J036DC02 ,  4J036DC41 ,  4J036DC46 ,  4J036DD07 ,  4J036FA01 ,  4J036FA03 ,  4J036FA10 ,  4J036FB06 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB12 ,  4M109EB18 ,  4M109EC03 ,  4M109EC05 ,  4M109EC09 ,  4M109EC20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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