特許
J-GLOBAL ID：200903023115695598
半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263857
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081287
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：
【要約】【課題】難燃性および高温信頼性に優れ、かつ、封止材の成形性に優れた半導体封止用エポキシ組成物を提供すること。【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)イオン捕捉剤、(F)臭素化合物、及び(G)四酸化アンチモンを必須成分として含有してなるエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化促進剤が第3ホスフィンとキノン類の付加物であり、前記イオン捕捉剤として化学式が下記式-1で示されるハイドロタルサイト系化合物であって配合量が全組成物の0.01〜10重量%で、且つ前記四酸化アンチモンの配合量が全組成物の0.01〜10重量%であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物により半導体素子を封止する。【化1】但し、0<X<0.5、mは正の整数
請求項（抜粋）：
(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化促進剤、(D)無機充填材、(E)イオン捕捉剤、(F)臭素化合物、及び(G)四酸化アンチモンを必須成分として含有してなるエポキシ樹脂組成物であって、前記硬化促進剤が第3ホスフィンとキノン類の付加物であり、前記イオン捕捉剤として化学式が下記式-1で示されるハイドロタルサイト系化合物であって配合量が全組成物の0.01〜10重量%で、且つ前記四酸化アンチモンの配合量が全組成物の0.01〜10重量%であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【化1】但し、0<X<0.5、mは正の整数
IPC (8件)：
C08L 63/00
, C08G 59/20
, C08G 59/40
, C08K 3/20
, C08K 3/26
, C08K 3/36
, H01L 23/29
, H01L 23/31
C08L 63/00 C
, C08G 59/20
, C08G 59/40
, C08K 3/20
, C08K 3/26
, C08K 3/36
, H01L 23/30 R
4J002CC03X
, 4J002CC27X
, 4J002CD01W
, 4J002CD04W
, 4J002CD05W
, 4J002CD06W
, 4J002CD12W
, 4J002CD12Y
, 4J002CD13W
, 4J002CE00W
, 4J002DE120
, 4J002DE289
, 4J002DJ018
, 4J002EE057
, 4J002EL136
, 4J002EL146
, 4J002EN076
, 4J002EW017
, 4J002FD018
, 4J002FD13Y
, 4J002FD130
, 4J002FD14X
, 4J002FD146
, 4J002FD157
, 4J002GQ05
, 4J036AA01
, 4J036AB02
, 4J036AD04
, 4J036AD07
, 4J036AD08
, 4J036AD21
, 4J036AE05
, 4J036AE07
, 4J036AF05
, 4J036AF06
, 4J036AF08
, 4J036AF15
, 4J036AF27
, 4J036AH07
, 4J036AJ05
, 4J036AJ18
, 4J036DB20
, 4J036DB22
, 4J036DB28
, 4J036DC03
, 4J036DC10
, 4J036DD07
, 4J036FA03
, 4J036FA05
, 4J036FB07
, 4J036JA07
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109EA02
, 4M109EA06
, 4M109EB02
, 4M109EB03
, 4M109EB04
, 4M109EB06
, 4M109EB07
, 4M109EB08
, 4M109EB09
, 4M109EB12
, 4M109EB18
, 4M109EB19
, 4M109EC20
