半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011912
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217198
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】比誘電率の小さい有機ポリマ材料や多孔質無機系材料、あるいは多孔化有機ポリマを層間絶縁膜に用いた半導体装置であって、素子自体の耐湿信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】有機ポリマ材料や多孔質無機系材料、あるいは多孔化有機ポリマを層間絶縁膜213,216に用いた場合に、素子周辺部からの吸湿、透湿を防ぐ目的で素子周辺を囲うように配線層を形成する材料から構成された隔壁部(ガードリング部)227の下部を、半導体基板の内部206に埋め込むように形成する。あるいは、素子最表面に形成されるパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部まで素子を被覆するように形成するか、もしくはパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部にて半導体基板の内部に埋め込むように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に半導体素子と配線層と複数層の層間絶縁膜層とを含む半導体装置において、前記半導体素子周辺を囲うように前記配線層を形成する材料から構成された隔壁部の下部が、少なくとも前記半導体基板上の複数層の層間絶縁膜層を貫通して配設されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/316 M , H01L 21/88 S , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 F

Fターム (50件)：

5F033HH04 , 5F033HH08 , 5F033HH19 , 5F033HH34 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033LL04 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033QQ75 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS11 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV16 , 5F033XX18 , 5F033XX24 , 5F058AA04 , 5F058AH02 , 5F058BA07 , 5F058BC08 , 5F058BJ02 , 5F058BJ03 , 5F083AD48 , 5F083AD56 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR33 , 5F083PR39 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083785 出願人：三洋電機株式会社
特開平3-159125
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-158890 出願人：キヤノン株式会社

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