特許
J-GLOBAL ID：200903040926796248

半導体装置

発明者：
古田 善一

古田 善一 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-156308
公開番号（公開出願番号）：特開2007-325212
出願日： 2006年06月05日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】電源電圧の変動等に起因するゲインの変動を防ぐことが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置100は、供給された電流を差動出力電圧に変換する負荷部1と、差動入力電圧を電流に変換して負荷部1に供給するトランスコンダクタンス回路2と、制御電圧に基づいて負荷部1に電流を供給する電圧制御電流源部3と、負荷部1で変換された差動出力電圧に基づいて電圧制御電流源部3に制御電圧を供給する出力電圧制御回路4とを備える。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
供給された電流を差動出力電圧に変換する負荷部と、 差動入力電圧を電流に変換して前記負荷部に供給するトランスコンダクタンス回路と、 制御電圧に基づいて前記負荷部に電流を供給する電圧制御電流源部と、 前記負荷部で変換された差動出力電圧に基づいて前記電圧制御電流源部に前記制御電圧を供給する出力電圧制御回路とを備える半導体装置。
IPC (3件)：
H03F 1/30 ,  H03F 3/34 ,  H03F 3/45
FI (3件)：
H03F1/30 B ,  H03F3/34 A ,  H03F3/45 B
Fターム (17件)：
5J500AA01 ,  5J500AA12 ,  5J500AC04 ,  5J500AC13 ,  5J500AF17 ,  5J500AH10 ,  5J500AH25 ,  5J500AK01 ,  5J500AK05 ,  5J500AK07 ,  5J500AM13 ,  5J500AS13 ,  5J500DN01 ,  5J500DN11 ,  5J500DN23 ,  5J500DP02 ,  5J500NF10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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