特許
J-GLOBAL ID:200903040927984056

セラミック一括積層配線基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-089069
公開番号(公開出願番号):特開平10-284836
出願日: 1997年04月08日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】低配線抵抗で高密度配線が可能でかつ高寸法精度で薄膜を搭載するのに適した焼結収縮の小さいガラス一括積層セラミック配線基板を提供する。【解決手段】ガラスまたは焼結セラミック薄板にサンドブラストで貫通孔と配線用凹溝を加工して導体材料を充填し、これらを積み重ねて加熱し貫通孔を電気的接続することによって積層配線基板を作製する。
請求項(抜粋):
複数の配線層からなる配線基板において、各層となるガラス薄板または焼結セラミック薄板の凹部および貫通孔に導体材料を充填した後積み重ねて加熱し導体材料の電気的接続をとることを特徴とするセラミック一括積層配線基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (5件):
H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 X ,  H01L 23/12 Q
引用特許:
審査官引用 (20件)
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