CVD装置処理室のクリーニング方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-065304
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264186
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】クリーニング速度が速く、クリーニングの運用コストが低くかつ高効率なCVD装置処理室のリモートプラズマクリーニング方法を与える。【解決手段】本発明に係るCVD装置処理室内部を遠隔プラズマ放電装置を用いてリモートプラズマクリーニングする方法は、クリーニングガスを遠隔プラズマ放電装置に供給する工程と、クリーニングガスを遠隔プラズマ放電装置内で活性化する工程と、活性化されたクリーニングガスを処理室内に導入する工程とから成り、クリーニングガスとしてF2ガス及び不活性ガスの混合ガスを使用することを特徴とする。F2ガスの濃度が10%以上である。クリーニングガスであるF2ガスはF2ガスを不活性ガスで所定の濃度に希釈して充填したガスボンベから遠隔プラズマ放電装置に供給される。

請求項（抜粋）：

CVD装置処理室内部を遠隔プラズマ放電装置を用いてリモートプラズマクリーニングする方法であって、クリーニングガスを前記遠隔プラズマ放電装置に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記遠隔プラズマ放電装置内で活性化する工程と、活性化された前記クリーニングガスを前記処理室内に導入する工程とから成り、前記クリーニングガスとしてF2ガス及び不活性ガスの混合ガスを使用することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/44 J , H01L 21/302 101 H

Fターム (24件)：

4K030DA06 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 5F004AA15 , 5F004BA03 , 5F004BA04 , 5F004BD04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CB15 , 5F004DA00 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AB32 , 5F045AC16 , 5F045AC17 , 5F045BB08 , 5F045BB15 , 5F045DP03 , 5F045EB06 , 5F045EH14 , 5F045EH18

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-104891
処理チャンバのための遠隔式プラズマクリーニング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-201117 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体プロセスチャンバの洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090297 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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