特許

J-GLOBAL ID：200903041040265884

3族窒化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 笠原 健司 ,  上田 和正 ,  小野 善伸
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-039067
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220865
出願日： 2006年02月16日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：

【課題】光取り出し効率が大きく向上した、高効率の発光素子、および工業的に安価な発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体多層膜とN電極とP電極とを備えた面発光型半導体発光素子において、該N電極と該P電極の少なくとも一方は透明電極であり、該透明電極は光取り出し面側にあり、該透明電極は透明導電性酸化物からなり、該透明電極に接する半導体層は、n型不純物濃度が5×1018cm-3〜5×1020cm-3の範囲であるn型半導体層であり、該半導体多層膜の領域の少なくとも一部の表面には、略同形同一サイズを有する複数の凸部があることを特徴とする半導体発光素子。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体多層膜とN電極とP電極とを備えた面発光型半導体発光素子において、該N電極と該P電極の少なくとも一方は透明電極であり、該透明電極は光取り出し面側にあり、該透明電極は透明導電性酸化物からなり、該透明電極に接する半導体層は、n型不純物濃度が5×1018cm-3〜5×1020cm-3の範囲であるn型半導体層であり、該半導体多層膜の領域の少なくとも一部の表面には、略同形同一サイズを有する複数の凸部があることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA99

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-379576   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-010571   出願人：株式会社東芝
• WO2005/004247号公報
  

審査官引用 (3件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-188335   出願人：松下電器産業株式会社
• 絶縁基板を有する発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-156095   出願人：晶元光電股ふん有限公司
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236258   出願人：株式会社東芝