特許

J-GLOBAL ID：200903041040370424

絶縁膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示デバイスの製造方法

発明者： 新村 忠 ,  宇野澤 圭佑 ,  山内 健資
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  川又 澄雄 ,  中村 友之 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-362428
公開番号（公開出願番号）：特開2007-165731
出願日： 2005年12月15日
公開日（公表日）： 2007年06月28日
要約：

【課題】結晶化半導体薄膜の表面上に低温及び短時間において絶縁耐性に優れた良質な膜質を有する絶縁膜を形成する絶縁膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】絶縁膜(ゲート絶縁膜3)及び薄膜トランジスタ10の製造方法において、基板1上に半導体薄膜2を形成し、半導体薄膜2を結晶化し、結晶化半導体薄膜20を形成し、結晶化半導体薄膜20の表面に異方性酸化を行い、結晶化半導体薄膜20の表面上に異方性酸化膜31を形成し、異方性酸化膜31の表面上に絶縁膜32を成膜する工程を備える。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

基板上に半導体薄膜を形成する工程と、 前記半導体薄膜を結晶化し、結晶化半導体薄膜を形成する工程と、 前記結晶化半導体薄膜の表面に異方性酸化を行い、前記結晶化半導体薄膜の表面上に異方性酸化膜を形成する工程と、 前記異方性酸化膜の表面上に絶縁膜を成膜する工程と、 を備えたことを特徴とする絶縁膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/316 ,  G02F 1/136

FI (6件)：

H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 A ,  G02F1/1368

Fターム (42件)：

2H092GA43 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092KA11 ,  2H092KA15 ,  2H092NA13 ,  2H092NA14 ,  2H092NA26 ,  2H092NA29 ,  5F058BA06 ,  5F058BC02 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA12 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE16 ,  5F152FF01 ,  5F152FF03 ,  5F152FF28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-43642号公報
  
• 半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361555   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300442   出願人：株式会社東芝
• 薄膜半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262130   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置、電気光学装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-361555   出願人：セイコーエプソン株式会社
• シリコン系被処理物の酸化処理方法、酸化処理装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-107878   出願人：株式会社東芝