半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 永岡重幸 , 高野信司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268778
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099714
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】隣接する縦型の電界効果トランジスタから広がる空乏層がつながらずに耐圧が低下することを防ぐことが出来る半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板の主表面上に形成された第1導電型の半導体層と、半導体層の表層部に形成された第2導電型のベース領域と、ベース領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、ベース領域及びソース領域上に形成されたソース電極と、半導体層及びベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、半導体基板の裏面上に形成されたドレイン電極と、を有する電界効果トランジスタの複数を含み、複数が互いに並置された半導体装置であって、ゲート電極の下の半導体層の表層部の所定領域に柱状の第2導電型の中間領域が形成されている。また、中間領域及びベース領域と接触するように半導体層の表層部の所定領域に第2導電型の接続領域が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板の主表面上に形成され前記半導体基板よりも高抵抗な第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域の表層部の所定領域に形成された第1導電型のソース領域と、前記ベース領域及び前記ソース領域と接触するように形成されたソース電極と、前記半導体層及び前記ベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記半導体基板の裏面上に形成されたドレイン電極と、を有する電界効果トランジスタの複数を含み、前記複数が互いに並置された半導体装置であって、前記ゲート電極の下の半導体層の表層部の所定領域に形成された柱状の第2導電型の中間領域と、前記中間領域及び前記ベース領域と接触するように前記半導体層の表層部の所定領域に形成された第2導電型の接続領域と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 29/12

FI (5件)：

H01L29/78 652S , H01L29/06 301D , H01L29/78 652T , H01L29/78 652C , H01L29/78 652J

引用特許：

出願人引用 (1件)

電界効果トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-121810 出願人：日産自動車株式会社

審査官引用 (5件)

特開平2-202063
縦型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259346 出願人：日本電装株式会社
特開昭60-007764

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