特許
J-GLOBAL ID:200903041092785169

有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 東平 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-307295
公開番号(公開出願番号):特開2001-126868
出願日: 1999年10月28日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子)の製造工程において、有機EL素子の劣化、損傷を防止し、発光強度、発光効率が高い素子を効率的に製造できる有機EL素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に1対の電極と少なくとも有機発光層とを積層して積層体部分を形成し、次いで封止ケ-スを紫外線硬化型接着剤を用いて前記基板に接合することによって前記積層体の封止部分を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、封止ケ-スを基板に接合するに際し、予め有機発光層への紫外線の照射を防止する手段を施した後、紫外線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
請求項(抜粋):
基板上に一対の電極と少なくとも有機発光層とを積層して積層体部分を形成し、次いで封止ケ-スを紫外線硬化型接着剤を用いて前記基板に接合することによって前記積層体の封止部分を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、封止ケ-スを基板に接合するに際し、予め有機発光層への紫外線の照射を防止する手段を施した後、紫外線を照射することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
IPC (4件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14
FI (4件):
H05B 33/10 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/04 ,  H05B 33/14 A
Fターム (14件):
3K007AB02 ,  3K007AB03 ,  3K007AB18 ,  3K007BB00 ,  3K007BB01 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02
引用特許:
審査官引用 (7件)
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