特許

J-GLOBAL ID：200903041170087929

反応性蒸発による現場での薄膜の生長

発明者： ブライアン・ハロルド・モークリー ,  ウォード・エス・ルビー
出願人/特許権者： スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山本 宗雄
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-542604
公開番号（公開出願番号）：特表2007-521397
出願日： 2004年11月16日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

(a)蒸着ゾーン中でホウ素を支持体の表面に蒸着させる工程;(b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程;(c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および(d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程を含むMgB2膜を形成する方法。本発明の好ましい態様で、支持体は回転可能なプラテンを用いて蒸着ゾーンおよび反応ゾーンに入れられたり出されたりする。

請求項（抜粋）：

(a)蒸着ゾーンの中で支持体の表面にホウ素を蒸着する工程; (b)支持体を加圧された気体マグネシウムを含む反応ゾーンに移動する工程; (c)支持体を蒸着ゾーンに戻す工程;および (d)工程(a)〜(c)を繰り返す工程 を含む支持体上にMgB2膜をその場で形成する方法。

IPC (4件)：

C23C 14/06 ,  H01B 13/00 ,  H01B 12/06 ,  C23C 14/24

FI (4件)：

C23C14/06 S ,  H01B13/00 565Z ,  H01B12/06 ,  C23C14/24 Q

Fターム (23件)：

4K029AA04 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029AA25 ,  4K029BA53 ,  4K029BC04 ,  4K029CA01 ,  4K029DB02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  4K029EA00 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029JA02 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03 ,  5G321AA98 ,  5G321BA07 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321DD99

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平2-209486
  
• 二硼化マグネシウム超伝導材の合成
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-564167   出願人：アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション
• ホウ化物超伝導体薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-255904   出願人：日本電信電話株式会社
• 超伝導材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-069950   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平2-275716
  
• 超伝導体膜の成長方法と成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-172113   出願人：富士通株式会社
• 薄膜の堆積のための装置および方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-558505   出願人：コンダクタス,インコーポレイテッド
• 蒸着装置および蒸着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052507   出願人：カシオ計算機株式会社