特許
J-GLOBAL ID：200903041210299916

半導体発光素子とその製造方法

発明者：
小林 祐二

小林 祐二 について

, 
奥 保成

奥 保成 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-248056
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077717
出願日： 1998年09月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 素子特性の劣化が少なく、高い製造歩留まりを維持できる半導体発光素子の提供。【解決手段】 基板1の上に積層されたn型層3とp型層5とを有し、p型層5はn型層3の表面を露出させるために一部が除去されており、p型層5の表面に電極6が形成され、電極6の上に絶縁性膜9を備えた半導体発光素子において、絶縁性膜9はp型層5の一部を除去する際に用いられ残存したエッチングマスクであることとすることによって、製造工程において電極6に傷がつくのを防止できるとともに電極6用の保護膜の形成とエッチングマスク形成の工程を同一工程で行うことができる。
請求項（抜粋）：
基板の上に積層された第一導電型層と第二導電型層とを有し、前記第二導電型層は前記第一導電型層の表面を露出させるために一部が除去されており、前記第二導電型層の表面に電極が形成され、前記電極の上に絶縁性膜を備えた半導体発光素子において、前記絶縁性膜は前記第二導電型層の一部を除去する際に用いられ残存したエッチングマスクであることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Fターム (6件)：
5F041AA41 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F073AA61 ,  5F073AA89 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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