特許
J-GLOBAL ID：200903041220539940

半導体装置の製造方法

発明者：
杉崎 太郎

杉崎 太郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-304069
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133651
出願日： 1998年10月26日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 界面ラフネスが小さく、界面準位密度が低いシリコン窒化酸化膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上に下地酸化膜を形成する工程と、下地酸化膜が形成されたシリコン基板を、水蒸気を含む酸化性のある第1の雰囲気中で熱酸化し、下地酸化膜が追加酸化されてなるシリコン酸化膜を形成する工程と、シリコン酸化膜が形成されたシリコン基板を、窒化性ガスを含む第2の雰囲気で熱処理し、シリコン酸化膜に窒素が導入された第1のシリコン窒化酸化膜19を形成する工程と、第1のシリコン窒化酸化膜が形成されたシリコン基板を、水蒸気を含まない酸化性のある第3の雰囲気中で熱酸化し、第1のシリコン窒化酸化膜が追加酸化されてなる第2のシリコン窒化酸化膜22を形成する工程とを有している。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に下地酸化膜を形成する工程と、前記下地酸化膜が形成された前記シリコン基板を、水蒸気を含む酸化性のある第1の雰囲気中で熱酸化し、前記下地酸化膜が追加酸化されてなるシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を、窒化性ガスを含む第2の雰囲気で熱処理し、前記シリコン酸化膜に窒素が導入された第1のシリコン窒化酸化膜を形成する工程と、前記第1のシリコン窒化酸化膜が形成された前記シリコン基板を、水蒸気を含まない酸化性のある第3の雰囲気中で熱酸化し、前記第1のシリコン窒化酸化膜が追加酸化されてなる第2のシリコン窒化酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 29/78
FI (3件)：
H01L 21/318 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 29/78 301 G
Fターム (38件)：
5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EA08 ,  5F040EB00 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EF11 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F040FA19 ,  5F040FB02 ,  5F040FC00 ,  5F045AA20 ,  5F045AB34 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045BB16 ,  5F045BB17 ,  5F045DC51 ,  5F045HA10 ,  5F045HA22 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD15 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF64 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10
引用特許：
審査官引用 (5件)
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