特許
J-GLOBAL ID：200903017054715051
半導体装置のシリコンオキシニトライド膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-050872
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026457
出願日： 1998年03月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜として使用できる半導体装置のシリコンオキシニトライド膜形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101上に初期酸化膜103を形成した後、初期酸化膜103を純粋酸化膜105に変えると同時に、さらに、成長させる段階を含む。そして、純粋酸化膜105をシリコンオキシニトライド膜107に変えると同時に、半導体基板101上にシリコンオキシニトライド膜107を700〜950°Cでさらに成長させ、40〜200オングストロームの厚さに形成する。シリコンオキシニトライド膜107は拡散炉、例えば縦形拡散炉に酸化窒素ガスを注入して形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に初期酸化膜を形成する段階と、前記初期酸化膜を純粋酸化膜に変えると同時に、前記純粋酸化膜をさらに成長させる段階と、前記純粋酸化膜をシリコンオキシニトライド膜に変えると同時に、前記半導体基板上にシリコンオキシニトライド膜をさらに成長させる段階とを含んでなることを特徴とする半導体装置のシリコンオキシニトライド膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 C
, H01L 21/31 B
