特許
J-GLOBAL ID：200903041321014422

転位の無い歪んだ結晶を作成するための方法

発明者：
シエ,ヤーホン

シエ,ヤーホン について


出願人/特許権者：
ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア

ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア について


代理人 (2件)： 柏原 三枝子 ,  高橋 剛一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-518108
公開番号（公開出願番号）：特表2008-547219
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
転位が無い歪んだシリコンの薄膜を形成するための方法が、2つの湾曲したシリコン基板を与えるステップを有する。一方の基板は、背面上の二酸化シリコンの存在により湾曲する。他方の基板は、窒化シリコン層の存在により湾曲する。基板のうちの一方が、水素注入を受け、焼鈍処理において2つの基板を互いに接着する。2つの基板を離すと、一方の基板の前面に歪んだシリコン層が残る。そして、二酸化シリコン又は窒化シリコンの背面層を除去して、ほぼ平らな状態に基板を戻す。この方法を採用して転位の無い歪んだシリコン薄膜を形成してよい。この膜は、引張又は圧縮歪みのいずれかの状態でよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面及び第2の面を有する第1の基板を用意するステップと、 前記第1の基板の前記第2の面上に、前記第1の基板を湾曲した形状に変形させる二酸化シリコンを含む層を形成するステップと、 第1の面及び第2の面を有する第2の基板を用意するステップと、 前記第2の基板の前記第2の面上に、前記第2の基板を湾曲した形状に変形させる窒化シリコンを含む層を形成するステップと、 前記第2の基板の前記第1の面に水素イオン注入を施すステップと、 アニーリング処理において、前記第2の基板の第1の面に前記第1の基板の前記第1の面を接着するステップと、 前記第1の基板から前記第2の基板を離すステップと、 を具え、 歪んだシリコンの層が前記第1の基板の第1の面に残ることを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L27/12 B ,  H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20
Fターム (14件)：
5F152LM09 ,  5F152LN08 ,  5F152LP01 ,  5F152LP07 ,  5F152LP08 ,  5F152MM04 ,  5F152NN03 ,  5F152NP13 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06 ,  5F152NQ07 ,  5F152NQ09 ,  5F152NQ10
引用特許：
審査官引用 (10件)
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