特許

J-GLOBAL ID：200903041361850592

酸化膜/炭化珪素界面の作製法

発明者： 小杉 亮治 ,  一村 信吾 ,  黒河 明 ,  趙 元珠 ,  福田 憲司 ,  先崎 純寿 ,  大串 秀世 ,  荒井 和雄
出願人/特許権者： 経済産業省産業技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244260
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素基板を用いて金属-酸化膜-半導体(MOS)構造を形成する際に、フラットバンドシフト電圧の小さい良好な酸化膜/炭化珪素界面を形成する。【解決手段】 炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から1200°Cの範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行って酸化膜/炭化珪素界面の作成する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基板上に、ゲート酸化膜を形成する前の基板前処理工程において、基板の温度を室温から1200°Cの範囲に保ち、紫外線を照射しつつオゾン暴露を行うことを特徴とする酸化膜/炭化珪素界面の作成法。

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/316 P

Fターム (11件)：

5F058BA20 ,  5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BE03 ,  5F058BE10 ,  5F058BF29 ,  5F058BF56 ,  5F058BF62 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10