特許

J-GLOBAL ID：200903071320925002

半導体基板表面の気相洗浄法

発明者： 小杉 亮治 ,  一村 信吾 ,  黒河 明 ,  福田 憲司 ,  先崎 純寿 ,  趙 元珠 ,  大串 秀世 ,  荒井 和雄
出願人/特許権者： 経済産業省産業技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049757
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244227
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面の気相洗浄方法として、紫外線照射を伴うオゾン暴露を減圧下において行い、半導体基板表面の炭素不純物を効果的に除去し、信頼性の高い半導体デバイスを作製する【解決手段】 半導体デバイス作製時の基板前処理洗浄工程おいて、基板温度を室温から1200°Cの範囲に保ち、基板表面に紫外線を照射しつつオゾン暴露を行う。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス作製の時の基板前処理洗浄工程おいて、基板温度を室温から1200°Cの範囲に保ち、基板表面に紫外線を照射しつつオゾン暴露を行う半導体基板表面の気相洗浄法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 645 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/12

FI (3件)：

H01L 21/304 645 D ,  C30B 29/36 A ,  C30B 33/12

Fターム (3件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077EE03

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 基板表面清浄方法および清浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201372   出願人：日本板硝子株式会社, 株式会社荏原総合研究所
• 紫外線処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014522   出願人：日本電池株式会社
• 付着物の洗浄方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164181   出願人：株式会社荏原製作所

審査官引用 (3件)

• 基板表面清浄方法および清浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-201372   出願人：日本板硝子株式会社, 株式会社荏原総合研究所
• 紫外線処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014522   出願人：日本電池株式会社
• 付着物の洗浄方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-164181   出願人：株式会社荏原製作所