特許
J-GLOBAL ID：200903041410350193

半導体レーザ

発明者：
村岡 泰嗣

村岡 泰嗣 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186655
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 ストライプ部に導入されたp型不純物のn型電流狭窄層への拡散を抑制することにより、静特性の悪化の防止および製造歩留まりの向上を図ることができる半導体レーザを提供する。【解決手段】 リッジストライプ部の両側にn型電流狭窄層9が埋め込まれた電流狭窄構造を有する実屈折率導波型の埋め込みリッジ型AlGaInP系半導体レーザにおいて、n型電流狭窄層9のうちリッジストライプ部と接する部分を、n型GaAs基板1に対して約2×10-3の格子不整合を有し、圧縮歪みを有するn型(Alx2Ga1-x2)0.489 In0.511 P層9aとし、この上の部分をn型GaAs基板1と格子整合するn型(Alx2Ga1-x2)0.516 In0.484 P層9bとする。n型(Alx2Ga1-x2)0.489 In0.511 P層9aのバンドギャップは、p型(Alx1Ga1-x1)0.516 In0.484 Pクラッド層4,6より大きいかまたは同等とする。
請求項（抜粋）：
基板と、上記基板上のn型AlGaInPクラッド層と、上記n型AlGaInPクラッド層上の活性層と、上記活性層上のp型AlGaInPクラッド層とを有し、上記p型AlGaInPクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分にn型電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する半導体レーザにおいて、上記n型電流狭窄層のうち、少なくとも上記p型AlGaInPクラッド層の上記ストライプ部と接する部分が圧縮歪を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特開平4-162483
  • 半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-265696   出願人：日本電気株式会社
  • 自励発振型半導体レーザ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-171790   出願人：ソニー株式会社
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