特許
J-GLOBAL ID：200903041421764623
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
稲岡 耕作
, 川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047855
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006672
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】基板の周縁部処理の前または後に、基板上の汚染物質を簡単に除去できる基板処理方法を提供する。【解決手段】先ず、一方表面および端面に酸化珪素などからなる薄膜Fsが形成されたウエハWが、薄膜Fsが形成された面を上にしてほぼ水平に保持されて回転される。続いて、ウエハW下面中心部付近に向けて、一定時間エッチング液L(高濃度のフッ酸水溶液)が吐出されて、ウエハW上の薄膜Fsがベベルエッチングされる(図2(a)(b))。次に、ウエハWの下面および上面に向けて、一定時間予備洗浄液D1(低濃度のフッ酸水溶液)が吐出される(図2(c))。続いて、ウエハWの下面および上面に向けて、一定時間純水が吐出されてウエハWが洗浄される。以上の工程は、すべて同一チャンバ内で連続して実施される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板をチャンバ内でほぼ水平に保持して回転させる基板回転工程と、
上記チャンバ内で、上記基板回転工程で回転されている基板の下面に処理液を吐出して、当該基板の上記下面から上面の周縁部に処理液を回り込ませて処理する周縁部処理工程と、
上記チャンバ内で、上記基板回転工程で回転されている基板の両面に処理液を吐出して処理する両面処理工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 577
, G03F7/30 502
2H096AA25
, 2H096AA30
, 2H096GA29
, 5F046JA15
