半導体層の評価方法,半導体装置の製造方法及び記録媒体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-374021
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230291
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【課題】半導体領域に高濃度の不純物イオンを注入したときの結晶性の乱れた領域の厚みや結晶性の乱れの程度を非破壊で測定しうる評価方法を提供する。【解決手段】シリコン基板(11)中の不純物イオンが注入されて結晶性が乱れた領域に、Xe光源(20)から偏光子(21)によって直線偏光された測定光を斜め方向から入射する。そして、楕円偏光となった反射光のうちp方向の成分とs方向の成分との位相差をΔとし両者の振幅比をΨとしたときに、測定光の変化に伴うcos Δ,tan Ψのスペクトルを測定する。そして、予め破壊検査等によってcos Δ等のスペクトルのパターンとアモルファス領域の厚みとを関係づけておくか、cos Δ等のパターンの特徴的な部分に着目することで、アモルファス領域の厚みや結晶性の乱れの程度を評価する。

請求項（抜粋）：

基板内において不純物イオンが注入された領域を有する半導体層に、光軸に垂直な面内でp方向(光軸に垂直な面と入射光及び反射光を含む面との交線の方向)とs方向(光軸に垂直な面内で上記p方向に垂直な方向)に対して傾いた直線偏光の測定光を上記半導体層の表面に垂直な方向に対して傾いた方向から入射する第1のステップと、上記半導体層から楕円偏光として反射される上記測定光の反射光のうち上記p成分とs成分との位相差をΔとしたときに、少なくともcos Δを測定する第2のステップと、上記測定光の波長の変化に伴う上記少なくともcos Δのスペクトルを測定する第3のステップと、上記少なくともcos Δのスペクトルに基づいて、上記不純物イオンが注入された領域の物理量を評価する第4のステップとを備えている半導体層の評価方法。

IPC (8件)：

H01L 21/66 , G01B 11/06 , G01J 3/447 , G01J 4/04 , G01N 21/00 , G01N 21/21 , G01N 21/27 , H01L 21/265

FI (9件)：

H01L 21/66 P , H01L 21/66 L , G01B 11/06 Z , G01J 3/447 , G01J 4/04 Z , G01N 21/00 B , G01N 21/21 Z , G01N 21/27 Z , H01L 21/265 T

引用特許：

審査官引用 (2件)

表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-228363 出願人：川崎製鉄株式会社
複屈折測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051114 出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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