特許
J-GLOBAL ID:200903041432111850

集積化電子装置を封止するための形態的端部構成体の製造方法及び対応する装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小橋 一男 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-020963
公開番号(公開出願番号):特開平10-284481
出願日: 1998年02月02日
公開日(公表日): 1998年10月23日
要約:
【要約】【課題】 改良した封止構成を有する電子装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によれば、誘電体多層(10)を部分的に除去することにより、その周辺終端部(25)が、少なくとも電子回路に向かって内部方向に中間構成体(11)自身の隣接するゾーンと比較した場合に且つ装置端部形態的構成体(21)に関する限り、主表面(5)のレベルよりも相対的に高い中間処理構成体(11)のゾーン内に位置されている。
請求項(抜粋):
アモルファス平坦化用物質(13)からなる層を有する誘電体多層(10)を中間処理構成体(11)の上に形成し且つ装置端部形態的構成体(21)において該多層の少なくとも1個の周辺終端部(25)を形成するために該誘電体多層(10)を部分的に除去するタイプの半導体物質からなる基板(6)の主表面(5)内に集積化されている電子回路を周辺部を保護し且つ封止するための装置端部形態的構成体(21)の製造方法において、前記誘電体多層(10)の除去が、少なくとも回路に向かって内部的に中間構成体(11)の隣接するゾーンと比較された場合且つ装置端部形態的構成体(21)に関する限り、主表面(5)のレベルよりも比較的高い中間処理構成体(11)のゾーン内にその周辺端部(25)を位置させることを特徴とする方法。
IPC (2件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件):
H01L 21/316 M ,  H01L 21/94 Z
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-117858   出願人:ヤマハ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-046907   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-109966   出願人:ヤマハ株式会社
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審査官引用 (6件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-117858   出願人:ヤマハ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-046907   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 半導体装置とその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-109966   出願人:ヤマハ株式会社
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