特許

J-GLOBAL ID：200903041453432339

半導体基板及びその製造方法ならびに半導体装置及びその製造方法

発明者： ▲萩▼原 秀敏
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147902
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343880
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】通常のシリコン単結晶基板を利用して、より簡便に、かつ安価に、電子及び正孔のいずれの移動度も向上させることができる半導体基板、半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】歪みを内包するSiGe層がシリコン基板上に積層されて構成される半導体基板であって、前記SiGe層の一部の領域において、その層内の一部に、SiGe層内で電気的に中性の元素の導入に伴う欠陥層を有し、該欠陥層下では歪みを内包し、かつ該欠陥層上では歪みが緩和されてなる半導体基板。

請求項（抜粋）：

歪みを内包するSiGe層がシリコン基板上に積層されて構成される半導体基板であって、前記SiGe層の一部の領域において、その層内の一部に、SiGe層内で電気的に中性の元素の導入に伴う欠陥層を有し、該欠陥層下では歪みを内包し、かつ該欠陥層上では歪みが緩和されてなることを特徴とする半導体基板。

IPC (5件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/161

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/161 ,  H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 321 N

Fターム (33件)：

5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB12 ,  5F045AB22 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB11 ,  5F045CA05 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA62 ,  5F045HA15 ,  5F045HA16 ,  5F048AA00 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA00 ,  5F048BA03 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F052CA01 ,  5F052DA01 ,  5F052DB01 ,  5F052GC01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA04 ,  5F052KA05

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-145533   出願人：ソニー株式会社
• 電界効果トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、その半導体装置を含む論理回路および半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074746   出願人：ソニー株式会社
• ヘテロ構造半導体多層薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-288918   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体基板、半導体装置及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-062439   出願人：シャープ株式会社