温度特性に優れた誘電体磁器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木郁男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081228
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274937
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大きく、かつDCバイアス特性が良好で、しかも比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁器を提供すること。【解決手段】 Bサイトの一部がZrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶(BTZ型結晶)から成る誘電体磁器において、前記BTZ型結晶は、Zr置換量の少ない低Zr置換BTZ型結晶粒子と、Zr置換量の多い高Zr置換BTZ型結晶粒子との形で存在し、且つこれら結晶粒子の何れもが、0.3〜1μmの平均粒径を有していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Bサイトの一部がZrで置換されたペロブスカイト型チタン酸バリウム結晶(BTZ型結晶)から成る誘電体磁器において、前記BTZ型結晶は、Zr置換量の少ない低Zr置換BTZ型結晶粒子と、Zr置換量の多い高Zr置換BTZ型結晶粒子との形で存在し、且つこれら結晶粒子の何れもが、0.3〜1μmの平均粒径を有していることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3件)：

C04B 35/46 , H01B 3/12 303 , H01G 4/12 358

FI (3件)：

C04B 35/46 D , H01B 3/12 303 , H01G 4/12 358

Fターム (37件)：

4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA19 , 4G031AA39 , 4G031BA09 , 4G031CA03 , 4G031GA02 , 4G031GA03 , 4G031GA09 , 4G031GA10 , 4G031GA11 , 5E001AB03 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AH01 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5G303AA01 , 5G303AB06 , 5G303AB11 , 5G303AB20 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB06 , 5G303CB17 , 5G303CB18 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303CB40 , 5G303CB41 , 5G303CB43

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平2-258671
特開平4-289609
特開昭59-090303

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