特許
J-GLOBAL ID：200903041546538510
ニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法、圧電薄膜振動子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、並びに、電子機器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
布施 行夫
, 大渕 美千栄
, 伊奈 達也
, 竹腰 昇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-060914
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245413
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 ニオブ酸カリウムの薄膜を有するニオブ酸カリウム堆積体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るニオブ酸カリウム堆積体100の製造方法は, R面サファイア基板からなる基板11の上方にバッファ層12を形成する工程と、 バッファ層12の上方に、擬立方晶表示において(100)配向でエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム層13またはニオブ酸カリウム固溶体層を形成する工程と、 ニオブ酸カリウム層13またはニオブ酸カリウム固溶体層の上方に電極層を形成する工程と、を含み、 ニオブ酸カリウム層13またはニオブ酸カリウム固溶体層の(100)面は、R面サファイア基板11のR面(1-102)に対して,[11-20]方向ベクトルを回転軸として傾くように形成される。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
R面サファイア基板からなる基板の上方にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上方に、擬立方晶表示において(100)配向でエピタキシャル成長したニオブ酸カリウム層またはニオブ酸カリウム固溶体層を形成する工程と、
前記ニオブ酸カリウム層または前記ニオブ酸カリウム固溶体層の上方に電極層を形成する工程と、を含み、
前記ニオブ酸カリウム層または前記ニオブ酸カリウム固溶体層の(100)面は、前記R面サファイア基板のR面(1-102)に対して、[11-20]方向ベクトルを回転軸として傾くように形成される、ニオブ酸カリウム堆積体の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 41/22
, C23C 14/28
, C30B 23/08
, H01L 41/18
, H01L 41/24
, H01L 41/09
H01L41/22 Z
, C23C14/28
, C30B23/08 Z
, H01L41/18 101A
, H01L41/22 A
, H01L41/08 L
4G077BC33
, 4G077DA03
, 4G077ED06
, 4G077EF02
, 4G077HA11
, 4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA41
, 4K029BB02
, 4K029BB09
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029BD01
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 5J108BB08
, 5J108CC11
, 5J108KK01
, 5J108MM11
