特許
J-GLOBAL ID:200903041557511311

プロセスモニター方法、プロセス制御方法、及びプロセスモニターマークの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-075480
公開番号(公開出願番号):特開2008-235715
出願日: 2007年03月22日
公開日(公表日): 2008年10月02日
要約:
【課題】側壁転写プロセスにおけるプロセス変動を高精度にモニターできるプロセスモニターマークを用いたプロセスモニター方法を提供すること。【解決手段】プロセスモニター方法は、半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンA1,A2をスペースパターンA0或いは残しパターンを挟んで対に備えたレジストパターンであるプロセスモニターマークを、半導体回路の形成領域とは異なる箇所に形成し、対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、ラインアンドスペースパターンのラインパターンを細らせるスリミングを行い、スリミングの後に対に備えられたラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離を測定し、スリミング前後のラインアンドスペースパターンA1,A2の中心間距離の変化量に基づいてラインパターンのスリミングによる寸法変化量を算出する。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
半導体回路に形成される配線のピッチの2倍のピッチのラインアンドスペースパターンをスペースパターン或いは残しパターンを挟んで対に備えたレジストパターンであるプロセスモニターマークを形成する工程と、 対に備えられた前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離を測定する工程と、 前記ラインアンドスペースパターン領域のラインパターンを細らせるスリミング工程と、 前記スリミング工程の後に対に備えられた前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離を測定する工程と、 前記スリミング工程前後の前記ラインアンドスペースパターン領域の中心間距離の変化量に基づいて前記ラインパターンのスリミングによる寸法変化量を算出する工程と を含むことを特徴とするプロセスモニター方法。
IPC (1件):
H01L 21/027
FI (1件):
H01L21/30 570
Fターム (5件):
5F046AA28 ,  5F046EA03 ,  5F046EA09 ,  5F046EB07 ,  5F046EC05
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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