露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341039
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142385
出願日： 2001年11月06日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】露光装置の光学系の状態を低コストで、迅速に、高い精度で、かつ容易に調べることができる露光装置の検査方法を提供する。【解決手段】マスク1に、線幅WTが0.15μmの線形状の第1マスクパターン4a、このパターン4aに平行な線幅WFが1.0μmの線形状の第2マスクパターン4bからなるマスクパターン4を形成する。露光装置5の二次光源面側に照明アパーチャー12を配置して、照明光源6を光軸16から実質的に0.3σ分ずらした軸外れ状態でマスク1を照明し、各パターン4a,4bの像を半導体基板13上のフォトレジスト17に露光投影して転写した後、現像して第1および第2のレジストパターン14a,14bを形成する。各レジストパターン14a,14bの相対距離D1Wを測定し、各マスクパターン4a,4bの相対距離D1Mとの差を求めて、半導体基板13のディフォーカス量dを求める。

請求項（抜粋）：

少なくとも一組の互いに形状が異なる第1のマスクパターンおよび第2のマスクパターンを含むマスクパターンが形成されているマスクを露光装置の光軸からずれた方向から照明して、前記マスクパターンの像を受像体に向けて露光投影し、前記受像体に露光投影された前記第1および第2の各マスクパターンの像同士の相対距離を測定することにより、前記露光装置の光学系の状態を調べることを特徴とする露光装置の検査方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/207

FI (3件)：

G03F 1/08 P , G03F 7/207 H , H01L 21/30 516 A

Fターム (6件)：

2H095BE05 , 5F046BA04 , 5F046CB17 , 5F046DA14 , 5F046DB05 , 5F046DD03

引用特許：

出願人引用 (6件)

フォーカスモニタマスク及びフォーカスモニタ方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375472 出願人：株式会社東芝
投影露光用フォトマスクパターン、投影露光用フォトマスク、焦点位置検出方法、焦点位置制御方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261439 出願人：松下電子工業株式会社
投影光学系の結像特性計測方法及び投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-126614 出願人：株式会社ニコン

全件表示

前のページに戻る