特許
J-GLOBAL ID：200903041611357455
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031161
公開番号（公開出願番号）：特開2001-320135
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 圧縮歪の量子井戸層と引張歪の障壁層からなる活性領域を備えた半導体レーザ装置において、界面歪を低減させ高出力特性を改善する。【解決手段】 活性領域15を、In<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>引張歪障壁層4(0≦x3<0.49y3,0<y3≦0.5 , 厚みdb:5〜20nm程度)<HAN>、</HAN>In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y2</SB>歪緩和層5(0≦x2≦0.4 ,0≦y2≦0.5 ,厚みdr:1〜5nm程度)<HAN>、</HAN>In<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>As<SB>1-y1</SB>P<SB>y1</SB>圧縮歪量子井戸層6(0.4 ≧x1>0.49y1,0≦y1≦0.1 , 厚みda:3〜20nm程度)<HAN>、</HAN>In<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>As<SB>1-y2</SB>P<SB>y</SB><SB>2</SB>歪緩和層7<HAN>、</HAN>In<SB>x3</SB>Ga<SB>1-x3</SB>As<SB>1-y3</SB>P<SB>y3</SB>引張歪障壁層8を順に積層させて構成する。各層は、量子井戸層6,障壁層4,8,緩和層5,7 の歪量をそれぞれ、Δa,Δb,Δrとするとき、0≦Δa<HAN>・</HAN>da+2Δb<HAN>・</HAN>db+2Δr<HAN>・</HAN>dr≦0.08nmで示される関係となる組成および層厚とする。
請求項（抜粋）：
圧縮歪を有する量子井戸層と引張歪を有する障壁層とが交互に積層されて、該障壁層が最外層に配されて構成された活性領域を備えた半導体レーザ装置において、前記量子井戸層と前記障壁層との間に、両層の歪量の中間の歪量を有する歪緩和層を備え、前記量子井戸層の層厚,歪量をそれぞれda,Δaとし、前記障壁層の層厚,歪量をそれぞれdb,Δbとし、前記歪緩和層の層厚,歪量をそれぞれdr,Δrとし、前記量子井戸層の数をNとしたとき、0≦N・Δa・da+(N+1)・Δb・db+2N・Δr・dr≦0.08nmなる関係を満たしていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/343
, C01B 25/08
, C01G 15/00
H01S 5/343
, C01B 25/08 Z
, C01G 15/00 Z
5F073AA11
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073AA83
, 5F073AA89
, 5F073BA09
, 5F073CA13
, 5F073CA14
, 5F073CB02
, 5F073CB10
, 5F073DA22
, 5F073DA32
, 5F073EA24
