炭化珪素半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259611
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069038
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】新規な構成にて実用性の高い炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】n+SiC基板1の上にn-ドリフト層2と第1のゲート層(p+層)3とp型ソース層4とが順に形成されるとともに、トレンチ6内においてn-チャネル層7を介して第2のゲート層(p+層)8が形成されている。ドリフト層2と第1のゲート層3とソース層4とチャネル層7と第2のゲート層8はエピタキシャル層で形成されるとともに、ソース層とするためのエピタキシャル層4の表層部にはイオン注入によるn+ソース層5が形成されている。

請求項（抜粋）：

SiCよりなる第1導電型のドレイン層(1)の上に、SiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)と、分離されたSiCよりなる第2導電型の第1のゲート層(3)と、分離されたSiCよりなる第1導電型のソース層(4,5)とが順に形成されるとともに、前記第1のゲート層(3)に対しSiCよりなる第1導電型のチャネル層(7)を挟んでSiCよりなる第2導電型の第2のゲート層(8)を配した炭化珪素半導体装置において、ドリフト層(2)と第1のゲート層(3)とソース層(4)とチャネル層(7)と第2のゲート層(8)をエピタキシャル層で形成するとともに、ソース層とするための低濃度な第1導電型のエピタキシャル層(4)の表層部にイオン注入による高濃度な第1導電型のソース層(5)を形成したことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/80 , H01L 21/337 , H01L 29/808

FI (2件)：

H01L 29/80 V , H01L 29/80 C

Fターム (12件)：

5F102FA03 , 5F102GB04 , 5F102GC05 , 5F102GC08 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GR07 , 5F102GT08 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16

引用特許：

出願人引用 (11件)

炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-120595 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-128769
電界効果型トランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-036873 出願人：株式会社東芝

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審査官引用 (11件)

炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-120595 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-128769
特開昭54-066780

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