特許

J-GLOBAL ID：200903041673272057

高誘電率ゲート誘電体および金属ゲート電極をもつ半導体デバイスの作成方法

発明者： ブラスク,ジャスティン ,  ベー,サンウ ,  カヴァリエロス,ジャック ,  メッツ,マシュー ,  ドクジー,マーク ,  ダッタ,サマン ,  チョウ,ロバート ,  マイス,ホセ
出願人/特許権者： インテル コーポレイション
代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-544642
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523591
出願日： 2005年12月07日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：

半導体デバイスを作成する方法に関する。該方法は、基板上で二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成することを含む。窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成したのち、犠牲層が除去されて溝が生成される。窒化二酸化ケイ素層の上で溝の中に高誘電率ゲート誘電体層が形成され、該高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスを作成する方法であって: 基板上に二酸化ケイ素層を形成する段階と; 前記二酸化ケイ素層に窒素を加えて窒化二酸化ケイ素層を形成する段階と; 前記窒化二酸化ケイ素層の上に犠牲層を形成する段階と; 犠牲層を除去して溝を生成する段階と; 前記窒化二酸化ケイ素層の上で前記溝の中に高誘電率ゲート誘電体層を形成する段階と; 前記高誘電率ゲート誘電体層の上に金属ゲート電極を形成する段階、 とを有する方法。

IPC (10件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (11件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/283 B ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 321D ,  H01L21/306 G ,  H01L21/316 S ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 M ,  H01L29/78 301P

Fターム (90件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB34 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD71 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F043AA09 ,  5F043BB01 ,  5F043DD19 ,  5F043EE05 ,  5F043FF01 ,  5F043GG02 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB14 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF37 ,  5F058BF61 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD01 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF03 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF13 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG40 ,  5F140BG53 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-167046   出願人：株式会社東芝
• 特許第6210999号
  
• アンモニア中でのアニールを利用して超薄ゲート絶縁体を確立する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-543768   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド
• 特許第6797622号
  
• 絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-322094   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-293929   出願人：株式会社東芝
• 特許第6210999号
  
• 特許第6797622号
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-226232   出願人：株式会社東芝