特許
J-GLOBAL ID：200903041698526312
ウィスカー形成体、ウィスカー及びウィスカー形成体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
的場 基憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-319018
公開番号（公開出願番号）：特開2006-001826
出願日： 2004年11月02日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：
【課題】従来品と比べて直径及び長さが10分の1以下である微細なウィスカーや所望のサイズのウィスカーを備えるウィスカー形成体、該ウィスカー、及びウィスカー形成体を少ない工程で簡便に製造する方法を提供すること。【解決手段】金属、合金及びセラミックスなどを含んで成る原料基体の表面上に、原料基体に含まれる元素の酸化物を含んで成るウィスカーを形成させたウィスカー形成体である。平均太さが2nm〜100μm、平均長さが20nm〜1000μmである。 マンガン、アルミニウム、クロム、インジウム、銀、ガリウム、錫、銅、スカンジウム、ゲルマニウム及び亜鉛などの酸化物構成元素を含んで成るウィスカーである。 金属、合金及びセラミックスなどを含む原料基体を、不活性ガス雰囲気中且つ微量酸素の存在下で加熱処理してウィスカーを形成させるウィスカー形成体の製造方法である。酸化物構成元素の含有率を1〜100%に制御しウィスカーの太さ及び長さを変更する。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
原料基体の表面上にウィスカーを形成させたウィスカー形成体であって、
該原料基体は、金属、合金及びセラミックスから成る群より選ばれた少なくとも1種のものを含んで成り、該ウィスカーは、その原料基体に含まれる少なくとも1種の元素の酸化物を含んで成ることを特徴とするウィスカー形成体。
IPC (1件)：
FI (3件)：
C30B29/62 A
, C30B29/62 B
, C30B29/62 D
4G042DA01
, 4G042DB08
, 4G042DB24
, 4G042DD01
, 4G042DD08
, 4G042DE02
, 4G042DE12
, 4G077AA04
, 4G077AB09
, 4G077BB01
, 4G077BB07
, 4G077BB09
, 4G077BB10
, 4G077DA17
, 4G077EA06
, 4G077SA02
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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