特許
J-GLOBAL ID:200903041800096816
半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
梅田 勝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-238738
公開番号(公開出願番号):特開平10-092771
出願日: 1996年09月10日
公開日(公表日): 1998年04月10日
要約:
【要約】【課題】 複数のユニット回路が形成された回路基板を縦横にダイシングして、個別のユニット回路基板を得る方法は、工程数が多かった。【解決手段】 ダイシングカットの前に、予め、ダイシングカットの縦横のラインの一方向に沿って、各ユニット回路毎にスリット孔2を形成し、且つスリット孔2の長さを、分断後の個別のユニット回路基板の端面長よりも長くなるよう設定してなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
複数のユニット回路が形成された回路基板を縦横にダイシングカットして、個別のユニット回路基板に分断する半導体装置の製造方法において、予め、前記ダイシングカットの縦横のラインの一方向に沿って、前記各ユニット回路毎にスリット孔を形成し、且つ該スリット孔の長さを、分断後の個別のユニット回路基板の端面長よりも長くなるよう設定してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件):
H01L 21/301
, H01L 21/52
, H01L 31/02
FI (3件):
H01L 21/78 C
, H01L 21/52 A
, H01L 31/02 B
引用特許: