特許
J-GLOBAL ID：200903041821133258

半導体記憶装置

発明者：
松井 克晃

松井 克晃 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-107737
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298984
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 省電力化および大容量化が図られた場合であっても,高速アクセスが可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体記憶装置は,センスアンプブロックsa,一対のメモリセルブロックmc0,mc1,一対のワードドライバブロックwd1-0,wd1-1,一対のデコーダブロックdec1-0,dec1-1,および制御回路ブロックcnt101を含む。制御回路ブロックcnt101に備えられたインバータINV0,INV1は,それぞれ,ブロック選択信号BS0,BS1の電位レベルを反転させる。レベルシフタLS0,LS1は,それぞれ,インバータINV0,INV1の出力を増幅し,第2の電源電位VPPと接地電位VSSの間で電位がスイングするイコライズ信号EQ0,EQ1を生成する。
請求項（抜粋）：
情報を記憶する1または2以上の記憶素子と,前記記憶素子から読み出された情報を伝達するビット線対と,前記ビット線対を構成する一のビット線および他のビット線の電位をそれぞれ基準電位および第1の電源電位に増幅する増幅手段と,前記第1の電源電位よりも高電位の第2の電源電位となるイコライズ信号によって制御され,前記ビット線対を第3の電源電位にイコライズするイコライズ手段と,を備えたことを特徴とする,半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/409 ,  G11C 11/407 ,  G11C 11/401
FI (4件)：
G11C 11/34 353 F ,  G11C 11/34 353 C ,  G11C 11/34 354 D ,  G11C 11/34 362 B
Fターム (8件)：
5B024AA01 ,  5B024AA15 ,  5B024BA05 ,  5B024BA07 ,  5B024BA10 ,  5B024BA13 ,  5B024CA13 ,  5B024CA16
引用特許：
審査官引用 (5件)
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