特許
J-GLOBAL ID：200903041821788530
複合材料及びその製造方法並びに半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226176
公開番号（公開出願番号）：特開平11-262655
出願日： 1998年08月10日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 光学素子材料、光導電性材料、光触媒、光半導体などの幅広い分野で利用可能な複合材料の製造方法の提供。【解決手段】 互いに異なる化合物A、化合物B、化合物Cによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Bと結合可能な官能基を有する該化合物Aと該基材とを、該化合物A及び該化合物Cと結合可能な官能基を有する該化合物Bと該化合物Aとを、及び、該化合物Bと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Cと該化合物Bとを、結合させることを特徴とする複合材料の製造方法である。化合物Aが、R1 M1 Y13、R1 R2 M1 Y12、R1 R2 R3 M1 Y1 、R1 -SH又はR1m Zn である態様が好ましい。
請求項（抜粋）：
互いに異なる化合物A、化合物B、化合物Cによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Bと結合可能な官能基を有する該化合物Aと該基材とを、該化合物A及び該化合物Cと結合可能な官能基を有する該化合物Bと該化合物Aとを、及び、該化合物Bと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Cと該化合物Bとを、結合させることを特徴とする複合材料の製造方法。
IPC (4件)：
B01J 19/00
, B32B 9/00
, H01L 21/312
, H01L 51/00
B01J 19/00 M
, B32B 9/00 Z
, H01L 21/312 A
, H01L 21/312 M
, H01L 29/28
