半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小西富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209271
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041545
出願日： 1996年07月19日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】超格子構造の発光層を持つ半導体発光素子の発光効率を向上する。【解決手段】3族窒化物半導体で形成されるn伝導型の第1の半導体層とp伝導型の第2の半導体層と間に、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層を設ける。量子井戸層の層厚を1〜10nmに、バリア層の層厚を0.2〜2nmに選択する。この発明の適用された発光ダイオードが実施例として説明されている。

請求項（抜粋）：

3族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、n伝導型の第1の半導体層と、p伝導型の第2の半導体層と、前記第1と第2の半導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
窒化物系化合物半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034576 出願人：株式会社日立製作所
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-190466 出願人：松下電器産業株式会社

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