特許
J-GLOBAL ID:200903041884203116

低抵抗透明導電膜の製造法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 打揚 洋次 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-050299
公開番号(公開出願番号):特開2003-249132
出願日: 2002年02月26日
公開日(公表日): 2003年09月05日
要約:
【要約】【課題】 焼結温度が低く、かつ、焼結後の電気抵抗が小さい薄膜状透明導電膜の製造法の提供。【解決手段】 透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも1種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも1種の合金の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又はヘリウムガスに酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスのプラズマ雰囲気中、150〜250°Cで加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成する。
請求項(抜粋):
透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも1種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも1種の合金の微粒子の分散液を調製し、この分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又は不活性ガスに酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスのプラズマ雰囲気中、150〜250°Cで加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成することを特徴とする低抵抗透明導電膜の製造法。
IPC (4件):
H01B 13/00 503 ,  G02F 1/1343 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28
FI (4件):
H01B 13/00 503 B ,  G02F 1/1343 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28
Fターム (16件):
2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA10 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  5G323BA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB02 ,  5G323BC01 ,  5G323BC03
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 透明導電膜の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-049634   出願人:富士写真フイルム株式会社
  • 導電性金属酸化物に基づく層
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-043007   出願人:アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
  • 特開昭51-069188
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